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onsemi

NTMTSC4D2N10GTXG

工場モデル NTMTSC4D2N10GTXG
メーカー onsemi
詳細な説明 100V MVSOA IN DFNW8(PQFN8X8) PAC
パッケージ 8-TDFNW (8.3x8.4)
株式 37423 pcs
データシート NTMTSC4D2N10G
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$2.364 $2.124 $1.74 $1.481 $1.249
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。37423のonsemi NTMTSC4D2N10GTXGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 450µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-TDFNW (8.3x8.4)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4.2mOhm @ 88A, 10V
電力消費（最大） 3.9W (Ta), 267W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount, Wettable Flank
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 10450 pF @ 50 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 159 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 21A (Ta), 178A (Tc)

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