Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > NTMTS1D2N08H
onsemi

NTMTS1D2N08H

工場モデル NTMTS1D2N08H
メーカー onsemi
詳細な説明 T8-80V IN PQFN88 FOR INDU
パッケージ 8-DFNW (8.3x8.4)
株式 25743 pcs
データシート onsemi REACHonsemi RoHSWafer Fab Change 17/Oct/2022NTMTS1D2N08H
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$2.713 $2.45 $2.029 $1.767 $1.539
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。25743のonsemi NTMTS1D2N08Hの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 590µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-DFNW (8.3x8.4)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.1mOhm @ 90A, 10V
電力消費（最大） 5W (Ta), 300W (Tc)
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 10100 pF @ 40 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 147 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 6V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 80 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 41A (Ta), 335A (Tc)
基本製品番号 NTMTS1D

おすすめ商品

NTMTS1D2N08H データテーブルPDF

データシート

NTMTS1D2N08Hに関連した語彙

NTMTS1D2N08H関連コンポーネント

Loading...