NTMFS4D2N10MDT1G
工場モデル | NTMFS4D2N10MDT1G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE |
パッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
株式 | 60059 pcs |
データシート | onsemi REACHonsemi RoHSNTMFS4D2N10MD |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 |
---|---|---|---|
$1.238 | $1.111 | $0.893 | $0.734 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。60059のonsemi NTMFS4D2N10MDT1Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 239µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.3mOhm @ 46A, 10V |
電力消費(最大) | 2.8W (Ta), 132W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3100 pF @ 50 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 60 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 16.4A (Ta), 113A (Tc) |
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