NTMFS4C808NAT3G
工場モデル | NTMFS4C808NAT3G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | TRENCH 6 30V NCH |
パッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
株式 | 262356 pcs |
データシート | Wafer Fab Change 17/Oct/2022 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
---|---|---|---|---|---|
$0.422 | $0.377 | $0.294 | $0.243 | $0.192 | $0.179 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。262356のonsemi NTMFS4C808NAT3Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 2.1V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4.8mOhm @ 18A, 10V |
電力消費(最大) | 760mW (Ta), 25.5W (Tc) |
パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1670 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 18.2 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9A (Ta), 52A (Tc) |
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