NTLJS3D9N03CTAG
| 工場モデル | NTLJS3D9N03CTAG |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 10.3A 6PQFN |
| パッケージ | 6-PQFN (2x2) |
| 株式 | 6678 pcs |
| データシート | Mult Dev EOL 01/Oct/2021onsemi REACHonsemi RoHSNTLJS3D9N03CMult Dev Assembly 24/Nov/2020 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.1V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±12V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | 6-PQFN (2x2) |
| シリーズ | - |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 4.9mOhm @ 10A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 860mW (Ta) |
| パッケージ/ケース | 6-PowerWDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1565 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 14.7 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 10.3A (Ta) |
| 基本製品番号 | NTLJS3 |
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