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NTLJF3117PTAG

工場モデル NTLJF3117PTAG
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN
パッケージ 6-WDFN (2x2)
株式 4291 pcs
データシート Multiple Devices 21/Jan/2010onsemi REACHonsemi RoHSNTLJF3117P
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4291のonsemi NTLJF3117PTAGの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 1V @ 250µA
Vgs(最大) ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 6-WDFN (2x2)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 100mOhm @ 2A, 4.5V
電力消費(最大) 710mW (Ta)
パッケージ/ケース 6-WDFN Exposed Pad
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 531 pF @ 10 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 6.2 nC @ 4.5 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 Schottky Diode (Isolated)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 1.8V, 4.5V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.3A (Ta)
基本製品番号 NTLJF31

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NTLJF3117PTAG データテーブルPDF

データシート