NTLJF3117PTAG
工場モデル | NTLJF3117PTAG |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 2.3A 6WDFN |
パッケージ | 6-WDFN (2x2) |
株式 | 4291 pcs |
データシート | Multiple Devices 21/Jan/2010onsemi REACHonsemi RoHSNTLJF3117P |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±8V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-WDFN (2x2) |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 100mOhm @ 2A, 4.5V |
電力消費(最大) | 710mW (Ta) |
パッケージ/ケース | 6-WDFN Exposed Pad |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 531 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 6.2 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | Schottky Diode (Isolated) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 1.8V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.3A (Ta) |
基本製品番号 | NTLJF31 |
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