NTJD5121NT1G
工場モデル | NTJD5121NT1G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 60V 295MA SOT363 |
パッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
株式 | 1700522 pcs |
データシート | onsemi RoHSMult Dev A/Mat Chg 14/May/2021NTJD5121N, NVJD5121N |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
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$0.14 | $0.116 | $0.061 | $0.04 | $0.027 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.6Ohm @ 500mA, 10V |
電力 - 最大 | 250mW |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 26pF @ 20V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 0.9nC @ 4.5V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 295mA |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | NTJD5121 |
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