NTJD1155LT2G
工場モデル | NTJD1155LT2G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N/P-CH SC-88-6 |
パッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
株式 | 556192 pcs |
データシート | onsemi REACHonsemi RoHSMult Dev A/Mat Chg 14/May/2021NTJD1155L |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.215 | $0.174 | $0.118 | $0.089 | $0.067 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 175mOhm @ 1.2A, 4.5V |
電力 - 最大 | 400mW |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | - |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | - |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 8V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | - |
コンフィギュレーション | N and P-Channel |
基本製品番号 | NTJD1155 |
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