NTGD3149CT1G
工場モデル | NTGD3149CT1G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP |
パッケージ | 6-TSOP |
株式 | 5100 pcs |
データシート | Multiple Devices 08/Apr/2011onsemi REACHonsemi RoHSNTGD3149C |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 60mOhm @ 3.5A, 4.5V |
電力 - 最大 | 900mW |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 387pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 5.5nC @ 4.5V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 3.2A, 2.4A |
コンフィギュレーション | N and P-Channel |
基本製品番号 | NTGD31 |
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