NTGD3147FT1G
工場モデル | NTGD3147FT1G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6TSOP |
パッケージ | 6-TSOP |
株式 | 6438 pcs |
データシート | Multiple Devices 01/Jul/2009onsemi REACHonsemi RoHSNTGD3147F |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 145mOhm @ 2.2A, 4.5V |
電力消費(最大) | 1W (Ta) |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -25°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 400 pF @ 10 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 5.5 nC @ 4.5 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | Schottky Diode (Isolated) |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 2.5V, 4.5V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.2A (Ta) |
基本製品番号 | NTGD31 |
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