NTD6414AN-1G
工場モデル | NTD6414AN-1G |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 100V 32A IPAK |
パッケージ | I-PAK |
株式 | 5503 pcs |
データシート | Multiple Devices 18/Apr/2013onsemi REACHonsemi RoHSNTD6414AN |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 37mOhm @ 32A, 10V |
電力消費(最大) | 100W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1450 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 40 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 100 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 32A (Tc) |
基本製品番号 | NTD64 |
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