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onsemi

NTD60N02R-35G

工場モデル NTD60N02R-35G
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 25V 8.5A/32A IPAK
パッケージ I-PAK
株式 5589 pcs
データシート NTD60N02RMultiple Devices 11/Jul/2008NTD60N02Ronsemi REACHonsemi RoHS
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5589のonsemi NTD60N02R-35Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ I-Pak
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 10.5mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大） 1.25W (Ta), 58W (Tc)
パッケージ/ケース TO-251-3 Stub Leads, IPak
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1330 pF @ 20 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 14 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 25 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 8.5A (Ta), 32A (Tc)
基本製品番号 NTD60

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