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NTB125N02RT4G

工場モデル NTB125N02RT4G
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAK
パッケージ D2PAK
株式 3818 pcs
データシート Multiple Devices 13/Apr/2009onsemi REACHonsemi RoHSNTB,NTP125N02R
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。3818のonsemi NTB125N02RT4Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D2PAK
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 4.6mOhm @ 20A, 10V
電力消費（最大） 1.98W (Ta), 113.6W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 3440 pF @ 20 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 28 nC @ 4.5 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 24 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 95A (Ta), 120.5A (Tc)
基本製品番号 NTB12

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