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NTB082N65S3F

工場モデル NTB082N65S3F
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 650V 40A D2PAK
パッケージ D²PAK (TO-263)
株式 17892 pcs
データシート Mult Dev Box Chgs 1/Jul/2021onsemi REACHonsemi RoHSSuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019NTB082N65S3FWafer Fab Change 17/May/2023
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100
$3.314 $2.992 $2.477
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。17892のonsemi NTB082N65S3Fの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 4mA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
シリーズ SuperFET® III
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 82mOhm @ 20A, 10V
電力消費(最大) 313W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3410 pF @ 400 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 81 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 650 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 40A (Tc)
基本製品番号 NTB082

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NTB082N65S3F データテーブルPDF

データシート