NGTD8R65F2WP
| 工場モデル | NGTD8R65F2WP |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | DIODE GEN PURP 650V DIE |
| パッケージ | Die |
| 株式 | 113000 pcs |
| データシート | onsemi REACHonsemi RoHSNGTD8R65F2 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 333 |
|---|
| $0.365 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。113000のonsemi NGTD8R65F2WPの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 2.8 V @ 30 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 650 V |
| 技術 | Standard |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| 速度 | - |
| シリーズ | - |
| パッケージ/ケース | Die |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Bulk |
| 動作温度 - ジャンクション | 175°C (Max) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 1 µA @ 650 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | - |
| Vrと、F @キャパシタンス | - |
| 基本製品番号 | NGTD8 |
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