NGTD17T65F2WP
工場モデル | NGTD17T65F2WP |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE |
パッケージ | Die |
株式 | 47102 pcs |
データシート | onsemi REACHonsemi RoHSNGTD17T65F2 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
142 |
---|
$0.856 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。47102のonsemi NGTD17T65F2WPの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン(最大) | 650 V |
VGE、Icを@ VCE(上)(最大) | 2V @ 15V, 40A |
試験条件 | - |
Td(オン/オフ)@ 25℃ | - |
エネルギーの切り替え | - |
サプライヤデバイスパッケージ | Die |
シリーズ | - |
パッケージ/ケース | Die |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Bulk |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力タイプ | Standard |
IGBTタイプ | Trench Field Stop |
電流 - コレクタパルス(ICM) | 160 A |
基本製品番号 | NGTD17 |
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