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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-バイポーラ (bjt)-シングル、プリバイアス > MUN5116T1
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MUN5116T1

工場モデル MUN5116T1
メーカー onsemi
詳細な説明 TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
パッケージ SC-70-3 (SOT323)
株式 6069 pcs
データシート MUN, SMUN, NSVMUN51xxT1 SeriesMultiple Devices 30/Jun/2006onsemi REACHonsemi RoHS
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。6069のonsemi MUN5116T1の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50 V
IB、IC @ Vce飽和（最大） 250mV @ 1mA, 10mA
トランジスタ型式 PNP - Pre-Biased
サプライヤデバイスパッケージ SC-70-3 (SOT323)
シリーズ -
抵抗器 - ベース（R1） 4.7 kOhms
電力 - 最大 202 mW
製品属性 属性値
パッケージ/ケース SC-70, SOT-323
パッケージ Tape & Reel (TR)
装着タイプ Surface Mount
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 160 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 100 mA
基本製品番号 MUN5116

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データシート

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