Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ、プリバイアス > MUN5112DW1T1G
MUN5112DW1T1G Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

MUN5112DW1T1G

工場モデル MUN5112DW1T1G
メーカー onsemi
詳細な説明 TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88
パッケージ SC-88/SC70-6/SOT-363
株式 1355798 pcs
データシート Mult Trans Wire Qual 19/Dec/2017Multiple Devices 30/Jun/2006onsemi REACHonsemi RoHSMult Dev Reinstate 18/Oct/2012MUN5112DW1, NSBA124EDxx
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.151 $0.122 $0.065 $0.043 $0.029
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1355798のonsemi MUN5112DW1T1Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大） 50V
IB、IC @ Vce飽和（最大） 250mV @ 300µA, 10mA
トランジスタ型式 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ SC-88/SC70-6/SOT-363
シリーズ -
抵抗器ベース（R2） 22kOhms
抵抗器 - ベース（R1） 22kOhms
電力 - 最大 250mW
製品属性 属性値
パッケージ/ケース 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
パッケージ Tape & Reel (TR)
装着タイプ Surface Mount
周波数 - トランジション -
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小） 60 @ 5mA, 10V
電流 - コレクタ遮断（最大） 500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max） 100mA
基本製品番号 MUN5112

おすすめ商品

MUN5112DW1T1G データテーブルPDF

データシート

MUN5112DW1T1Gに関連した語彙

MUN5112DW1T1G関連コンポーネント