FQPF9N25CYDTU
工場モデル | FQPF9N25CYDTU |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220F-3 |
パッケージ | TO-220F-3 (Y-Forming) |
株式 | 5868 pcs |
データシート | Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSFQPF9N25C(T) |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F-3 (Y-Forming) |
シリーズ | QFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 430mOhm @ 4.4A, 10V |
電力消費(最大) | 38W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 710 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 35 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 250 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8.8A (Tc) |
基本製品番号 | FQPF9 |
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