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FQPF8N80C Image
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FQPF8N80C

工場モデル FQPF8N80C
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 800V 8A TO220F
パッケージ TO-220F-3
株式 66891 pcs
データシート Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 21/Dec/2021onsemi REACHonsemi RoHSPassivation Material 26/June/2007
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.16 $1.041 $0.837 $0.687 $0.569 $0.53 $0.511
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。66891のonsemi FQPF8N80Cの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール:info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 5V @ 250µA
Vgs(最大) ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220F-3
シリーズ QFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 1.55Ohm @ 4A, 10V
電力消費(最大) 59W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3 Full Pack
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2050 pF @ 25 V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 45 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン 800 V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 8A (Tc)
基本製品番号 FQPF8

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FQPF8N80C データテーブルPDF

データシート