FQPF8N80C
工場モデル | FQPF8N80C |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 800V 8A TO220F |
パッケージ | TO-220F-3 |
株式 | 66891 pcs |
データシート | Tape and Box/Reel Barcode Update 07/Aug/2014Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 21/Dec/2021onsemi REACHonsemi RoHSPassivation Material 26/June/2007 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 | 5000 |
---|---|---|---|---|---|---|
$1.16 | $1.041 | $0.837 | $0.687 | $0.569 | $0.53 | $0.511 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F-3 |
シリーズ | QFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.55Ohm @ 4A, 10V |
電力消費(最大) | 59W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-220-3 Full Pack |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2050 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 45 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 800 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 8A (Tc) |
基本製品番号 | FQPF8 |
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