FDU6N50TU
| 工場モデル | FDU6N50TU |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET N-CH 500V 6A IPAK |
| パッケージ | I-PAK |
| 株式 | 4387 pcs |
| データシート | Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 01/Oct/2021onsemi REACHonsemi RoHSFDD6N50, FDU6N50 |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±30V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK |
| シリーズ | UniFET™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 900mOhm @ 3A, 10V |
| 電力消費（最大） | 89W (Tc) |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| パッケージ | Tube |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Through Hole |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 940 pF @ 25 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 16.6 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 500 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 6A (Tc) |
| 基本製品番号 | FDU6 |
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