FDU6612A
工場モデル | FDU6612A |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 30V 9.5A/30A IPAK |
パッケージ | I-PAK |
株式 | 6239 pcs |
データシート | FDD6612A, FDU6612AMultiple Devices 28/May/2008onsemi REACHonsemi RoHS |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 3V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | I-PAK |
シリーズ | PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 20mOhm @ 9.5A, 10V |
電力消費(最大) | 2.8W (Ta), 36W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 660 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 9.4 nC @ 5 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9.5A (Ta), 30A (Tc) |
基本製品番号 | FDU66 |
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