FDME910PZT
| 工場モデル | FDME910PZT |
|---|---|
| メーカー | onsemi |
| 詳細な説明 | MOSFET P-CH 20V 8A MICROFET |
| パッケージ | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| 株式 | 6371 pcs |
| データシート | Marking Content 19/Nov/2013Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020Mult Dev EOL 8/Apr/2021onsemi RoHSFDME910PZT |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA |
| Vgs（最大） | ±8V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| シリーズ | PowerTrench® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 24mOhm @ 8A, 4.5V |
| 電力消費（最大） | 2.1W (Ta) |
| パッケージ/ケース | 6-PowerUFDFN |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 2110 pF @ 10 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 21 nC @ 4.5 V |
| FETタイプ | P-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 1.8V, 4.5V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 20 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 8A (Ta) |
| 基本製品番号 | FDME910 |
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