FDMD8900
工場モデル | FDMD8900 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 30V 19A/17A 12POWER |
パッケージ | 12-Power3.3x5 |
株式 | 4126 pcs |
データシート | Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 8/Apr/2021onsemi RoHSFDMD8900 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 12-Power3.3x5 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 4mOhm @ 19A, 10V |
電力 - 最大 | 2.1W |
パッケージ/ケース | 12-PowerWDFN |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2605pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 35nC @ 10V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 19A, 17A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | FDMD89 |
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