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onsemi

FDC658AP

工場モデル FDC658AP
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET P-CH 30V 4A SUPERSOT6
パッケージ SuperSOT™-6
株式 366916 pcs
データシート Mult Devices 24/Oct/2017Marking Change 17/Nov/2021Marking Change 07/Oct/2022onsemi REACHonsemi RoHSMarking Change 07/Oct/2022Mult Dev A/T Chgs 13/Dec/2021FDC658AP
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.243 $0.208 $0.155 $0.122 $0.094
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。366916のonsemi FDC658APの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 3V @ 250µA
Vgs（最大） ±25V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SuperSOT™-6
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 50mOhm @ 4A, 10V
電力消費（最大） 1.6W (Ta)
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 470 pF @ 15 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 8.1 nC @ 5 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 30 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 4A (Ta)
基本製品番号 FDC658

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FDC658AP データテーブルPDF

データシート

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