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onsemi

FDC6561AN

工場モデル FDC6561AN
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
パッケージ SuperSOT™-6
株式 360476 pcs
データシート Mult Devices 24/Oct/2017Marking Change 17/Nov/2021Marking Change 07/Oct/2022onsemi RoHSMult Dev Assembly Chgs 21/Dec/2020Marking Change 07/Oct/2022FDC6561AN
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 10 100 500 1000
$0.256 $0.219 $0.163 $0.128 $0.099
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。360476のonsemi FDC6561ANの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS(TH)(最大) 3V @ 250µA
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ SuperSOT™-6
シリーズ PowerTrench®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) 95mOhm @ 2.5A, 10V
電力 - 最大 700mW
パッケージ/ケース SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 220pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs 3.2nC @ 5V
FET特長 Logic Level Gate
ソース電圧(VDSS)にドレイン 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 2.5A
コンフィギュレーション 2 N-Channel (Dual)
基本製品番号 FDC6561

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FDC6561AN データテーブルPDF

データシート