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FCP850N80Z Image
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FCP850N80Z

工場モデル FCP850N80Z
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 800V 8A TO220-3
パッケージ TO-220-3
株式 77901 pcs
データシート Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSAssembly Change 09/May/2023FCP850N80Z Datasheet
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000
$1.148 $1.031 $0.828 $0.681 $0.564 $0.525 $0.506
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。77901のonsemi FCP850N80Zの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4.5V @ 600µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
シリーズ SuperFET® II
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 850mOhm @ 3A, 10V
電力消費（最大） 136W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1315 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 29 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 800 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 8A (Tc)
基本製品番号 FCP850

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データシート

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