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FCP650N80Z

工場モデル FCP650N80Z
メーカー onsemi
詳細な説明 MOSFET N-CH 800V 10A TO220
パッケージ TO-220
株式 5385 pcs
データシート Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017Mult Dev EOL 30/Sep/2022onsemi REACHonsemi RoHSMat 9-29-22FCP650N80Z Datasheet
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5385のonsemi FCP650N80Zの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4.5V @ 800µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-220
シリーズ SuperFET® II
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 650mOhm @ 4A, 10V
電力消費（最大） 162W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1565 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 35 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 800 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10A (Tc)
基本製品番号 FCP650

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