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1N3070TR

工場モデル 1N3070TR
メーカー onsemi
詳細な説明 DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35
パッケージ DO-35
株式 2211728 pcs
データシート Logo 17/Aug/2017Mult Devices 24/Oct/2017onsemi REACHonsemi RoHSMult Dev Wafer Chgs 13/Apr/20201N3070
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000 5000
$0.112 $0.091 $0.048 $0.032 $0.022 $0.019 $0.017
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのonsemiシリーズの電子コンポーネントを専門としています。2211728のonsemi 1N3070TRの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ 1 V @ 100 mA
電圧 - 逆（VR）（最大） 200 V
技術 Standard
サプライヤデバイスパッケージ DO-35
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
シリーズ -
逆回復時間（trrの） 50 ns
パッケージ/ケース DO-204AH, DO-35, Axial
製品属性 属性値
パッケージ Tape & Reel (TR)
動作温度 - ジャンクション 175°C (Max)
装着タイプ Through Hole
電流 - 漏れ@ Vrとリバース 100 nA @ 175 V
電流 - 平均整流（イオ​​） 500mA
Vrと、F @キャパシタンス 5pF @ 0V, 1MHz
基本製品番号 1N3070

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データシート

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