1N3070
工場モデル | 1N3070 |
---|---|
メーカー | onsemi |
詳細な説明 | DIODE GEN PURP 200V 500MA DO35 |
パッケージ | DO-35 |
株式 | 6761 pcs |
データシート | onsemi RoHS1N3070 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@ | 1 V @ 100 mA |
電圧 - 逆(VR)(最大) | 200 V |
技術 | Standard |
サプライヤデバイスパッケージ | DO-35 |
速度 | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
シリーズ | - |
逆回復時間(trrの) | 50 ns |
パッケージ/ケース | DO-204AH, DO-35, Axial |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
パッケージ | Bulk |
動作温度 - ジャンクション | 175°C (Max) |
装着タイプ | Through Hole |
電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 100 nA @ 175 V |
電流 - 平均整流(イオ) | 500mA |
Vrと、F @キャパシタンス | 5pF @ 0V, 1MHz |
基本製品番号 | 1N3070 |
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