トランジスタ-fet、mosfet-rfは4598製品を見つけました
NXP USA Inc.
BLF574112
説明:HF / VHF POWER LDMOS TRANSISTOR,
- Freescale / NXP Semiconductors - NXP Semiconductorsは、よりスマートな世界のための安全な接続とインフラストラクチャを可能にし、人生をより簡単に、より良く、より安全にするソリューションを進化させます。 NXPは、組み込みアプリケーション向けのセキュアな接続ソリューションの世界的リーダーとして、セキュアな接続車両、エンドツーエンドのセキュリティ&プライバシー、スマート接続ソリューション市場におけるイノベーションを推進しています。 60年以上の経験と専門知識を兼ね備えた同社は、35カ国以上に45,000人の従業員を擁しています。
フリースケール・セミコンダクターは、NXPセミコンダクターによって買収されました。フリースケール・セミコンダクターの部品はNXPファミリの一部になりました（2015年12月）。
NXPスタンダードプロダクトディビジョンのポートフォリオ（ディスクリート、ロジック、MOSFET）はNexperiaに移管されました（2017年2月7日）。
NXP Bi-Polar Divisionの製品ポートフォリオ（ダイオード、サイリスタ、トランジスタ）はWeEn Semiconductors（2017年1月19日）に移管されました。
NXP RFパワーディビジョンの製品ポートフォリオ（RFアンプ、RF MOSFET）はAmpleonに移管されました（2105年10月5日）。
- モデル:
MRFX600GSR5 - メーカー:
NXP Semiconductors - 説明:
MRFX600GS - 600 W CW over 1.8-40 - 株式:
651
- モデル:
MRF8S9202GNR3,528 - メーカー:
NXP USA Inc. - 説明:
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR - 株式:
691
- モデル:
GTRA362802FC-V1-R0 - メーカー:
Wolfspeed, Inc. - 説明:
280W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH - 株式:
584
- モデル:
PTFA190451EV4R250XTMA1 - メーカー:
Infineon Technologies - 説明:
IC FET RF LDMOS 45W H-36265-2 - 株式:
6575
- モデル:
BLM7G1822S-80PBY - メーカー:
Ampleon USA Inc. - 説明:
RF FET LDMOS 65V 28DB SOT12122 - 株式:
2475
- モデル:
NE5500234-T1-AZ - メーカー:
Renesas Electronics America Inc - 説明:
POWER, 1A, 20V, N-CHANNEL MOSFET - 株式:
44427
- モデル:
BLL6H1214-500,112 - メーカー:
Ampleon USA Inc. - 説明:
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT539A - 株式:
203
- モデル:
MRF5S19060NR1 - メーカー:
Freescale Semiconductor - 説明:
RF L BAND, N-CHANNEL , TO-270 - 株式:
2021
- モデル:
MRFE6VP5150GNR1,528 - メーカー:
NXP USA Inc. - 説明:
WIDEBAND RF POWER LDMOS TRANSIST - 株式:
2605
- モデル:
MRF6S19140HSR3,128 - メーカー:
NXP USA Inc. - 説明:
RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR - 株式:
893
- モデル:
MRFG35003N6T1 - メーカー:
Freescale Semiconductor - 説明:
RF S BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C - 株式:
8649
- モデル:
DU2860U - メーカー:
MACOM Technology Solutions - 説明:
TRANSISTOR.MOSFET,60W,28V,2-175M - 株式:
762