トランジスタ-fet、mosfet-rfは4598製品を見つけました
Infineon Technologies
PTFA081501E V1
説明:FET RF 65V 900MHZ H-30248-2
- Cypress Semiconductor (Infineon Technologies)1999年4月1日、シーメンス半導体はインフィニオンテクノロジーズになりました。マイクロエレクトロニクスの競争が激しく変化し続ける世界での成功に向けて、ダイナミックでフレキシブルな会社。
インフィニオンは、さまざまなマイクロエレクトロニクスアプリケーションに使用される幅広い半導体の世界的な設計、製造、サプライヤーとして世界をリードしています。インフィニオンの製品ポートフォリオは、デジタル、ミックスド・シグナル、アナログ集積回路、ディスクリート半導体製品などのロジック製品で構成されています。
- モデル:
GTRB266502FC-V1-R0 - メーカー:
Wolfspeed, Inc. - 説明:
630W,48V,2620-2690MHZ,GAN HEMT ( - 株式:
662
- モデル:
BLA8G1011LS-300GU - メーカー:
Ampleon USA Inc. - 説明:
RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502E - 株式:
270
- モデル:
BLF8G10LS-270,112 - メーカー:
NXP USA Inc. - 説明:
RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F - 株式:
1652
- モデル:
MRF5S21100HSR5 - メーカー:
Freescale Semiconductor - 説明:
FET RF 65V 2.17GHZ NI-780S - 株式:
2044
- モデル:
MRF5P21180HR5 - メーカー:
Freescale Semiconductor - 説明:
FET RF 65V 2.16GHZ NI-1230 - 株式:
780
- モデル:
MRFG35003NT1 - メーカー:
Freescale Semiconductor - 説明:
RF S BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C - 株式:
6588
- モデル:
WS1A2639-V1-R1 - メーカー:
Wolfspeed, Inc. - 説明:
8W AVG 48V 2496-2690 MHZ GAN SIC - 株式:
2207
- モデル:
PTAB182002TCV2R250XTMA1 - メーカー:
Infineon Technologies - 説明:
IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4 - 株式:
6842
- モデル:
TBB1005EMTL-H - メーカー:
Renesas Electronics America Inc - 説明:
RF N-CHANNEL MOSFET - 株式:
406174
- モデル:
BLM10D2327-60ABGYZ - メーカー:
Ampleon USA Inc. - 説明:
BLM10D2327-60ABG/OMP-400/REELD - 株式:
3501
- モデル:
MRF6S19100NBR1 - メーカー:
Freescale Semiconductor - 説明:
RF POWER N-CHANNEL, MOSFET - 株式:
2191
- モデル:
GTVA355001EC-V1-R0 - メーカー:
Wolfspeed, Inc. - 説明:
500W, GAN HEMT, 50V, 2.9-3.5 GHZ - 株式:
160
- モデル:
NPT2010 - メーカー:
MACOM Technology Solutions - 説明:
HEMT N-CH 48V 100W DC-2.2GHZ - 株式:
504