YJD80G06A-F1-0000
工場モデル | YJD80G06A-F1-0000 |
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メーカー | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
詳細な説明 | N-CH MOSFET 60V 80A TO-252 |
パッケージ | TO-252 |
株式 | 125128 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 |
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$0.318 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 8mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 85W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1990 pF @ 30 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 31 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 80A (Tc) |
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