WNSC2D04650XQ
| 工場モデル | WNSC2D04650XQ |
|---|---|
| メーカー | WeEn Semiconductors |
| 詳細な説明 | DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F |
| パッケージ | TO-220F |
| 株式 | 163484 pcs |
| データシート |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 | 2000 |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.547 | $0.488 | $0.381 | $0.314 | $0.248 | $0.239 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのWeEn Semiconductorsシリーズの電子コンポーネントを専門としています。163484のWeEn Semiconductors WNSC2D04650XQの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 電圧 - フォワード（VF）（最大）の場合@ | 1.7 V @ 4 A |
| 電圧 - 逆（VR）（最大） | 650 V |
| 技術 | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| サプライヤデバイスパッケージ | TO-220F |
| 速度 | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| シリーズ | - |
| 逆回復時間（trrの） | 0 ns |
| パッケージ/ケース | TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| パッケージ | Tube |
| 動作温度 - ジャンクション | 175°C |
| 装着タイプ | Through Hole |
| 電流 - 漏れ@ Vrとリバース | 20 µA @ 650 V |
| 電流 - 平均整流（イオ） | 4A |
| Vrと、F @キャパシタンス | 125pF @ 1V, 1MHz |
| 基本製品番号 | WNSC2 |
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