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VP1008B

工場モデル VP1008B
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CH 100V 790MA TO39
パッケージ TO-39
株式 5667 pcs
データシート VP0808B/L/M,VP1008B/L/MMult Device OBS Update 15/May/2017SIL-062-2014-Rev-0 30/May/2014Wire Bond 01/Jul/2016
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。5667のVishay Siliconix VP1008Bの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4.5V @ 1mA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-39
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 5Ohm @ 1A, 10V
電力消費（最大） 6.25W (Ta)
パッケージ/ケース TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
パッケージ Tube
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 150 pF @ 25 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 790mA (Ta)
基本製品番号 VP1008

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データシート

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