Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SQM120N02-1M3L_GE3
Vishay Siliconix

SQM120N02-1M3L_GE3

工場モデル SQM120N02-1M3L_GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 120A TO263
パッケージ TO-263 (D²Pak)
株式 64610 pcs
データシート SQM120N02-1M3L
提案された価格 （米ドルでの測定）
800
$0.693
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。64610のVishay Siliconix SQM120N02-1M3L_GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ TO-263 (D²Pak)
シリーズ Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 1.3mOhm @ 40A, 10V
電力消費（最大） 375W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 14500 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 290 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 120A (Tc)
基本製品番号 SQM120

おすすめ商品

SQM120N02-1M3L_GE3 データテーブルPDF

データシート

SQM120N02-1M3L_GE3に関連した語彙

SQM120N02-1M3L_GE3関連コンポーネント