SQJA80EP-T1_BE3
工場モデル | SQJA80EP-T1_BE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET |
パッケージ | PowerPAK® SO-8 |
株式 | 173465 pcs |
データシート | SQJA80EP |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.545 | $0.486 | $0.379 | $0.313 | $0.247 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® SO-8 |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7mOhm @ 10A, 10V |
電力消費(最大) | 68W (Tc) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® SO-8 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3800 pF @ 25 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 75 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 80 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 60A (Tc) |
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