SQD45P03-12_GE3
工場モデル | SQD45P03-12_GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 30V 50A TO252 |
パッケージ | TO-252AA |
株式 | 148688 pcs |
データシート | New Ordering Code 19/Mar/2015SQD45P03-12SIL-040-2014-Rev-3 22/Sep/2014 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
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$0.626 | $0.563 | $0.452 | $0.371 | $0.308 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-252AA |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 10mOhm @ 15A, 10V |
電力消費(最大) | 71W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3495 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 83 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 50A (Tc) |
基本製品番号 | SQD45 |
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