SQ9945BEY-T1_GE3
工場モデル | SQ9945BEY-T1_GE3 |
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メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 60V 5.4A |
パッケージ | 8-SOIC |
株式 | 180884 pcs |
データシート | New Ordering Code 19/Mar/2015SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014SQ9945BEY-T1-GE3 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
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$0.403 | $0.359 | $0.28 | $0.231 | $0.182 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 8-SOIC |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 64mOhm @ 3.4A, 10V |
電力 - 最大 | 4W |
パッケージ/ケース | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 470pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 12nC @ 10V |
FET特長 | Logic Level Gate |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.4A |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | SQ9945 |
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