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SQ4850EY-T1_GE3 Image
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SQ4850EY-T1_GE3

工場モデル SQ4850EY-T1_GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
パッケージ 8-SOIC
株式 147406 pcs
データシート New Ordering Code 19/Mar/2015SIL-044-2014-Rev-1 20/May/2014SQ4850EYSQ4850EY-T1_xE3 obs 14/Jun/2023
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.507 $0.454 $0.354 $0.292 $0.231
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。147406のVishay Siliconix SQ4850EY-T1_GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 2.5V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SOIC
シリーズ Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 22mOhm @ 6A, 5V
電力消費（最大） 6.8W (Tc)
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1250 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 30 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 12A (Tc)
基本製品番号 SQ4850

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データシート

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