SQ3427EEV-T1-GE3
工場モデル | SQ3427EEV-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET P-CH 60V 5.5A 6TSOP |
パッケージ | 6-TSOP |
株式 | 5990 pcs |
データシート | SIL-046-2014-Rev-2 20/May/2014SQ3427EEV-T1-GE3 Device 13/Mar/2015 |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
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同上@ VGS(TH)(最大) | 2.5V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-TSOP |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 82mOhm @ 4.5A, 10V |
電力消費(最大) | 5W (Tc) |
パッケージ/ケース | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1125 pF @ 30 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 32 nC @ 10 V |
FETタイプ | P-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.5A (Tc) |
基本製品番号 | SQ3427 |
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