SQ1912AEEH-T1_GE3
工場モデル | SQ1912AEEH-T1_GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 20V POWERPAK SC70-6 |
パッケージ | SC-70-6 |
株式 | 590097 pcs |
データシート | SQ1912AEEH |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.191 | $0.163 | $0.121 | $0.095 | $0.074 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。590097のVishay Siliconix SQ1912AEEH-T1_GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 1.5V @ 250µA |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | SC-70-6 |
シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 280mOhm @ 1.2A, 4.5V |
電力 - 最大 | 1.5W |
パッケージ/ケース | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 27pF @ 10V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 1.25nC @ 4.5V |
FET特長 | - |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 20V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 800mA (Tc) |
コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
基本製品番号 | SQ1912 |
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