Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SIUD402ED-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIUD402ED-T1-GE3

工場モデル SIUD402ED-T1-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 20V 1A PPAK 0806
パッケージ PowerPAK® 0806
株式 1162943 pcs
データシート SIUD402ED
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000
$0.171 $0.127 $0.072 $0.048 $0.036
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。1162943のVishay Siliconix SIUD402ED-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 900mV @ 250µA
Vgs（最大） ±8V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PowerPAK® 0806
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 730mOhm @ 200mA, 4.5V
電力消費（最大） 1.25W (Ta)
パッケージ/ケース PowerPAK® 0806
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 16 pF @ 10 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 1.2 nC @ 8 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 1.5V, 4.5V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 20 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 1A (Ta)
基本製品番号 SIUD402

おすすめ商品

SIUD402ED-T1-GE3 データテーブルPDF

データシート

SIUD402ED-T1-GE3に関連した語彙

SIUD402ED-T1-GE3関連コンポーネント