SISS54DN-T1-GE3
工場モデル | SISS54DN-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE |
パッケージ | PowerPAK® 1212-8S |
株式 | 144906 pcs |
データシート |
提案された価格 (米ドルでの測定)
1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
---|---|---|---|---|
$0.551 | $0.495 | $0.398 | $0.327 | $0.271 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 2.2V @ 250µA |
Vgs(最大) | +16V, -12V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8S |
シリーズ | TrenchFET® Gen V |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 1.06mOhm @ 20A, 10V |
電力消費(最大) | 5W (Ta), 65.7W (Tc) |
パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8S |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3450 pF @ 15 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 72 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 30 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 51.1A (Ta), 185.6A (Tc) |
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