SISA10BDN-T1-GE3
| 工場モデル | SISA10BDN-T1-GE3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE |
| パッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
| 株式 | 266359 pcs |
| データシート | N-Channel 30 V (D-S) MOSFET |
提案された価格 （米ドルでの測定）
| 1 | 10 | 100 | 500 | 1000 |
|---|---|---|---|---|
| $0.323 | $0.288 | $0.224 | $0.185 | $0.146 |
納期
Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。266359のVishay Siliconix SISA10BDN-T1-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 2.4V @ 250µA |
| Vgs（最大） | +20V, -16V |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® 1212-8 |
| シリーズ | TrenchFET® Gen IV |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 3.6mOhm @ 10A, 10V |
| 電力消費（最大） | 3.8W (Ta), 63W (Tc) |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 1212-8 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1710 pF @ 15 V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 36.2 nC @ 10 V |
| FETタイプ | N-Channel |
| FET特長 | - |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30 V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 26A (Ta), 104A (Tc) |
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