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Vishay Siliconix

SIHP30N60E-GE3

工場モデル SIHP30N60E-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB
パッケージ TO-220-3
株式 34922 pcs
データシート Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019SiHP30N60E
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100 500 1000 2000
$2.329 $2.092 $1.714 $1.459 $1.231 $1.169
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。34922のVishay Siliconix SIHP30N60E-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±30V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ E
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 125mOhm @ 15A, 10V
電力消費（最大） 250W (Tc)
パッケージ/ケース TO-220-3
パッケージ Tube
運転温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Through Hole
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 2600 pF @ 100 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 130 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 600 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 29A (Tc)
基本製品番号 SIHP30

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データシート

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