SIHG33N65E-GE3
工場モデル | SIHG33N65E-GE3 |
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メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 650V 32.4A TO247AC |
パッケージ | TO-247AC |
株式 | 25240 pcs |
データシート | Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020Packing Tube Design 19/Sep/2019SIHG33N65E |
提案された価格 (米ドルでの測定)
500 |
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$1.7 |
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±30V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247AC |
シリーズ | - |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 105mOhm @ 16.5A, 10V |
電力消費(最大) | 313W (Tc) |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |
パッケージ | Tube |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Through Hole |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 4040 pF @ 100 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 173 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 32.4A (Tc) |
基本製品番号 | SIHG33 |
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