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Vishay Siliconix

SIHF9Z34STRL-GE3

工場モデル SIHF9Z34STRL-GE3
メーカー Vishay Siliconix
詳細な説明 MOSFET P-CHANNEL 60V
パッケージ D²PAK (TO-263)
株式 78694 pcs
データシート IRF9Z34S, SiHF9Z34S
提案された価格 （米ドルでの測定）
1 10 100
$0.599 $0.535 $0.417
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのVishay Siliconixシリーズの電子コンポーネントを専門としています。78694のVishay Siliconix SIHF9Z34STRL-GE3の断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
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規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 250µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ D²PAK (TO-263)
シリーズ -
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 140mOhm @ 11A, 10V
電力消費（最大） 3.7W (Ta), 88W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
製品属性 属性値
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 1100 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 34 nC @ 10 V
FETタイプ P-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 60 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 18A (Tc)

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