SIF912EDZ-T1-E3
| 工場モデル | SIF912EDZ-T1-E3 |
|---|---|
| メーカー | Vishay Siliconix |
| 詳細な説明 | MOSFET 2N-CH 30V 7.4A 6-POWERPAK |
| パッケージ | PowerPAK® (2x5) |
| 株式 | 6844 pcs |
| データシート | SIF912EDZMaterial Compliance |
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期
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規格
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 同上@ VGS（TH）（最大） | 1.5V @ 250µA |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ | PowerPAK® (2x5) |
| シリーズ | TrenchFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大） | 19mOhm @ 7.4A, 4.5V |
| 電力 - 最大 | 1.6W |
| パッケージ/ケース | PowerPAK® 2x5 |
| パッケージ | Tape & Reel (TR) |
| 運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 製品属性 | 属性値 |
|---|---|
| 装着タイプ | Surface Mount |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs | 15nC @ 4.5V |
| FET特長 | Logic Level Gate |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン | 30V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 7.4A |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| 基本製品番号 | SIF912 |
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