SIE816DF-T1-GE3
工場モデル | SIE816DF-T1-GE3 |
---|---|
メーカー | Vishay Siliconix |
詳細な説明 | MOSFET N-CH 60V 60A 10POLARPAK |
パッケージ | 10-PolarPAK® (L) |
株式 | 4867 pcs |
データシート | SIE816DF |
提案された価格 (米ドルでの測定)
納期
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規格
製品属性 | 属性値 |
---|---|
同上@ VGS(TH)(最大) | 4.4V @ 250µA |
Vgs(最大) | ±20V |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ | 10-PolarPAK® (L) |
シリーズ | TrenchFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 7.4mOhm @ 19.8A, 10V |
電力消費(最大) | 5.2W (Ta), 125W (Tc) |
パッケージ/ケース | 10-PolarPAK® (L) |
パッケージ | Tape & Reel (TR) |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
製品属性 | 属性値 |
---|---|
装着タイプ | Surface Mount |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3100 pF @ 30 V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 77 nC @ 10 V |
FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 60 V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 60A (Tc) |
基本製品番号 | SIE816 |
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